Samsung ra mắt SSD 256TB nhỏ nhất thế giới cùng chip nhớ V-NAND hơn 400 lớp cho trung tâm AI

Tại Diễn đàn Đổi mới Bộ nhớ Toàn cầu (GMIF2026) diễn ra ở Thâm Quyến, Samsung Semiconductor đã chính thức công bố loạt giải pháp lưu trữ thế hệ mới. Trọng tâm của đợt ra mắt lần này là mẫu ổ cứng SSD enterprise dung lượng kỷ lục 256TB với kích thước nhỏ nhất thế giới cùng công nghệ chip nhớ V-NAND vượt mốc 400 lớp, nhằm tháo gỡ áp lực xử lý dữ liệu cho các trung tâm tính toán trí tuệ nhân tạo (AI).

Bước đột phá với bộ đôi SSD enterprise chuyên dụng cho AI

Để giải tỏa gánh nặng dung lượng và băng thông cho các hệ thống máy chủ trang bị GPU, Samsung giới thiệu hai mẫu ổ cứng thể rắn doanh nghiệp chủ lực là PCIe Gen6 PM1763 và BM1773.

Trong đó, dòng PCIe Gen6 PM1763 là phiên bản hiệu năng cao, dự kiến bắt đầu được gửi các bản mẫu thử nghiệm đến đối tác vào cuối năm nay. Mẫu ổ cứng này được thiết kế chuyên biệt cho các trung tâm dữ liệu xử lý mô hình AI đa đại lý (multi-agent AI), vốn đòi hỏi tốc độ nạp và truy xuất dữ liệu cực nhanh nhằm giảm thiểu độ trễ phản hồi.

Đáng chú ý nhất là dòng BM1773 sử dụng bộ nhớ flash QLC với mật độ lưu trữ siêu cao, đạt dung lượng danh định lên tới 256TB. Đại diện nhà sản xuất Hàn Quốc khẳng định đây là mẫu SSD enterprise nhỏ gọn nhất hành tinh trong phân khúc dung lượng này, hỗ trợ tối ưu không gian lắp đặt giá đỡ (rack) và giảm mức tiêu thụ điện năng cho các cụm máy chủ siêu lớn.

Tên sản phẩm / Công nghệ	Thông số / Đặc tính nổi bật	Mục đích sử dụng
SSD PCIe Gen6 PM1763	Giao thức PCIe Gen6, gửi mẫu cuối năm nay	Xử lý mô hình AI đa đại lý, trung tâm dữ liệu tốc độ cao
SSD QLC BM1773	Dung lượng 256TB, kích thước nhỏ gọn nhất thế giới	Lưu trữ dung lượng lớn, tối ưu diện tích trung tâm dữ liệu
V10 BV-NAND	Xếp chồng hơn 400 lớp, mật độ bit tăng gần 60%	Hạ tầng chip nhớ thế hệ mới, giảm chi phí sản xuất
Kiến trúc zNAND-O	Giao tiếp UCIe, mật độ bit gấp 10 lần DRAM chuẩn	Thiết bị rìa (edge devices), tăng hiệu suất đọc dữ liệu

Công nghệ V-NAND 400 lớp và kiến trúc zNAND-O

Về tiến trình bán dẫn, Samsung giới thiệu thế hệ V10 BV-NAND đột phá với cấu trúc xếp chồng vượt mốc 400 lớp bằng công nghệ liên kết dọc. Cải tiến cấu trúc này nâng mật độ bit lên gần 60% so với thế hệ chip nhớ trước đó, cho phép tích hợp lượng tế bào nhớ khổng lồ trên một phiến silicon nhỏ hơn, từ đó nâng cao hiệu suất năng lượng và hạ giá thành sản xuất chip trên diện rộng.

Không chỉ tập trung vào máy chủ đám mây, Samsung còn định hướng tới các thiết bị biên với kiến trúc zNAND-O. Giải pháp này cho phép chip nhớ được đóng gói trực tiếp cạnh bộ xử lý thông qua giao diện kết nối tốc độ cao UCIe. Kiến trúc zNAND-O cung cấp mật độ bit cao gấp 10 lần DRAM tiêu chuẩn, cải thiện đáng kể tốc độ đọc và khả năng phản hồi khi tài nguyên bộ nhớ DRAM trên thiết bị di động bị giới hạn.

Chiến lược mở rộng chuỗi cung ứng và đầu tư hạ tầng

Để đưa các nghiên cứu này vào quy trình thương mại hóa hàng loạt, Samsung tiếp tục rót vốn mạnh mẽ vào mạng lưới hạ tầng bán dẫn toàn cầu. Tập đoàn công nghệ Hàn Quốc dự kiến phân bổ 9,15 tỷ USD cho các dự án chip tại Hàn Quốc và Việt Nam. Đáng chú ý, cơ sở kiểm thử chip nhớ tại Thái Nguyên nhận khoản đầu tư 4,09 tỷ USD nhằm hoàn thiện và bảo đảm chuỗi cung ứng cho cả hai mảng DRAM và NAND flash.

Bên cạnh đầu tư tự thân, Samsung cùng các đối tác bán dẫn lớn như SK Hynix, TSMC, Intel và Micron đã đồng loạt tham gia vào trung tâm nghiên cứu EPIC Center trị giá 5 tỷ USD do Applied Materials sáng lập tại Mỹ. Sự liên minh này nhằm đẩy nhanh tiến trình kiểm định các công nghệ bán dẫn mới, bảo đảm năng lực xuất xưởng chip nhớ phục vụ làn sóng AI đang phát triển bùng nổ.